CHAPITRE 11

La commande de puissance
Les composants de puissance
Taille 3,8 Mo - 97 pages
Diode - Thyristor - Triac - Transistor de puissance bipolaire ou MOSFET - IGBT - Technologies émergentes
  11.1. Introduction.
  11.2. La diode de puissance
        11.2.1. Rappel du principe de fonctionnement
        11.2.2. Symbole
        11.2.3. Structure de base d’une diode de puissance
        11.2.4. Principe de fabrication
        11.2.5. Caractéristiques électriques
        11.2.6. Principaux types de diodes de puissance
        11.2.7. Protections des diodes de puissance
  11.3. Le thyristor
        11.3.1. Présentation
        11.3.2. Symbole
        11.3.3. Structure
        11.3.4. Modèle
        11.3.5. Fonctionnement
        11.3.6. Caractéristique statique
        11.3.7. Caractéristiques dynamiques
        11.3.8. Caractéristiques de gâchette
        11.3.9. Conditions d’amorçage par la gâchette
        11.3.10. Conditions de blocage
        11.3.11. Mode de commande et précautions
        11.3.12. Protections du composant
        11.3.13. Association des thyristors
        11.3.14. Thyristors à caractéristiques particulières
        11.3.15. Applications industrielles des thyristors
  11.4. Le triac
        11.4.1. Présentation
        11.4.2. Symbole
        11.4.3. Structure
        11.4.4. Schéma équivalent
        11.4.5. Fonctionnement
        11.4.6. Caractéristique statique
        11.4.7. Principe d’amorçage
        11.4.8. Applications des triacs
        11.4.9. Le diac
  11.5. Le transistor bipolaire de puissance
        11.5.1. Présentation
        11.5.2. Structure
        11.5.3. Symbole
        11.5.4. Le transistor Darlington monolithique
        11.5.5. Caractéristiques principales du transistor bipolaire de puissance
        11.3.6. Le transistor de puissance en commutation
  11.6. Le transistor MOSFET de puissance
        11.6.1. Introduction
        11.6.2. Structure
        11.6.3. Symboles
        11.6.4. Principe de fonctionnement
        11.6.5. Caractéristiques statiques
        11.6.6. Caractéristiques dynamiques
        11.6.7. Limites d’emploi
        11.6.8. Circuits de commande
        11.6.9. Protections
        11.6.10. Utilisation des MOSFET de puissance
  11.7. L’IGBT
        11.7.1. Introduction
        11.7.2. Symboles
        11.7.3. Structure
        11.7.4. Schéma équivalent
        11.7.5. Fonctionnement
        11.7.6. Caractéristiques
        11.7.7. Limites d’emploi
        11.7.8. Commande
        11.7.9. Technologie
        11.7.10. Domaine d’utilisation des IGBT
  11.8. Les technologies émergentes
Annexes
  A11.1 Le transistor bipolaire de puissance utilisé en amplification
           A11.1.1. Généralités
           A11.1.2. Fonctionnement classe A
           A11.1.3. Fonctionnement classe B
  A11.2. Montage et refroidissement des composants de puissance
           A11.2.1. Rôle du boîtier du semi-conducteur de puissance
           A11.2.2. Environnement d’un semi-conducteur de puissance
           A11.2.3. Isolement électrique
           A11.2.4. Câblage
           A11.2.5. Dissipation thermique